特種氣體有哪些？

　　氣體本身化學(xué)成分可分為：硅系、砷系、磷系、硼系、金屬氫化物、鹵化物和金屬烴化物七類。

　　特種氣體其中主要有：甲烷、乙烯、正戊烷、正丁烯、正丁烷、異戊烷、異丁烯、異丁烷、乙烷、一氧化碳、一氧化氮、一甲胺、一氟甲等。單一氣體有259種，其中電子氣體115種，有機(jī)氣體63種，無機(jī)氣體35種，鹵碳素氣體29種，同位素氣體17種。

　　特種氣體作用是什么？

　　特種氣體主要有電子氣體、高純氣體和標(biāo)準(zhǔn)氣體三種，廣泛應(yīng)用于電子半導(dǎo)體、化工、醫(yī)療、環(huán)保和高端裝備制造等L域。到目前為止，特種氣體中單元純氣體共有260種。下面為您做詳細(xì)介紹：

　　1、氮?dú)?N2,純度要求>99.999%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣、在線儀表標(biāo)準(zhǔn)氣、校正氣、零點(diǎn)氣、平衡氣；用于半導(dǎo)體器件制備工藝中外延、擴(kuò)散、化學(xué)氣相淀積、離子注入、等離子干刻、光刻、退火、搭接、燒結(jié)等工序；電器、食品包裝、化學(xué)等工業(yè)也要用氮?dú)狻?/p>

　　2、氧氣-O2,>99.995%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣在線儀表標(biāo)準(zhǔn)氣、校正氣、零點(diǎn)氣；還可用于醫(yī)療氣；在半導(dǎo)體器件制備工藝中用于熱氧化、擴(kuò)散、化學(xué)氣相淀積、等離子干刻等工序；以及用于光導(dǎo)纖維的制備。

　　3、氬氣-Ar,>99.999,用作標(biāo)準(zhǔn)氣、零點(diǎn)氣、平衡氣；用于半導(dǎo)體器件制備工藝中晶體生長、熱氧化、外延、擴(kuò)散、氮化、噴射、等離子干刻、載流、退火、搭接、燒結(jié)等工序；特種混合氣與工業(yè)混合氣也使用氫。

　　4、氫氣-H2,>99.999%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣、零點(diǎn)氣、平衡氣、校正氣、在線儀表標(biāo)準(zhǔn)氣；在半導(dǎo)體器件制備工藝中用于晶休生長、熱氧化、外延、擴(kuò)散、多晶硅、鎢化、離子注入、載流、燒結(jié)等工序；在化學(xué)、冶金等工業(yè)中也有用。

　　5、氦氣-He,>99.999%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣、零點(diǎn)氣、平衡氣、校正氣、醫(yī)療氣；于半導(dǎo)體器件制備工藝中晶體生長、等離子干刻、載流等工序；另外,特種混合氣與工業(yè)混合氣也常用。

　　6、氯氣-Cl2,>99.96%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣、校正氣；用于半導(dǎo)體器件制備工藝中晶體生長、等離子干刻、熱氧化等工序；另外,用于水凈化、紙漿與紡織品的漂白、下業(yè)廢品、污水、游泳池的衛(wèi)生處理；制備許多化學(xué)產(chǎn)品。

　　7、氟氣-F2,>98%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中等離子干刻；另外,用于制備六氟化鈾、六氟化硫、三氟化硼和金屬氟化物等。

　　8、氨氣-NH3,>99.995%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣、校正氣、在線儀表標(biāo)準(zhǔn)氣；用于半導(dǎo)體器件制備工藝中氮化工序；另外,用于制冷、化肥、石油、采礦、橡膠等工業(yè)。

　　9、氯化氫-HCI,>99.995%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣；用于半導(dǎo)體器件制備工藝中外延、熱氧化、擴(kuò)散等工序；另外,用于橡膠氯氫化反應(yīng)中的化學(xué)中間體、生產(chǎn)乙烯基和烷基氯化物時(shí)起氧氯化作用。

　　10、一氧化氮-NO,>99%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣、校正氣；用于半導(dǎo)體器件制備工藝中化學(xué)氣相淀積主序；制備監(jiān)控大氣污染的標(biāo)準(zhǔn)混合氣。

　　11、二氧化碳-CO2,>99.99%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣、在線儀表標(biāo)推氣、校正氣；于半導(dǎo)體器件制備工藝中氧化、載流工序警另外,還用于特種混合氣、發(fā)電、氣體置換處理、殺菌氣體稀釋劑、滅火劑、食品冷凍、金屬冷處理、飲料充氣、煙霧噴射劑、食品貯存保護(hù)氣等。

　　12、氧化亞氮-N2O,(即笑氣),>99.999%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣、醫(yī)療氣；用于半導(dǎo)體器件制備工藝中化學(xué)氣相淀積、醫(yī)月麻醉劑、煙霧噴射劑、真空和帶壓檢漏；紅外光譜分析儀等也用。

　　13、硫化氫-H2S,>99.999%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣、校正氣；用于半導(dǎo)體器件制備工藝中等離子干刻,化學(xué)工業(yè)中用于制備硫化物,如硫化鈉,硫化有機(jī)物；用作溶劑；實(shí)驗(yàn)室定量分析用。

　　14、四氯化碳-CCl4,>99.99%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣；用于半導(dǎo)體器件制備工藝中外延丫、化學(xué)氣相淀積等工序；另外,用作溶劑、有機(jī)物的氯化劑、香料的浸出劑、纖維的脫脂劑、滅火劑、分析試劑、制備氯仿和藥物等。

　　15、氰化氫-HCN,>99.9,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中等離子干刻工序；制備氫氰酸溶液,金屬氰化物、氰氯化物；也用于制備丙烯睛和丙烯衍生物的合成中間體。

　　16、碳酰氟-COF2,>99.99%,用于半尋體器件制備工藝中等離子干刻工序；另外,用作氟化劑。

　　17、碳酰硫-COS,>99.99%,用作校正氣；用于半導(dǎo)體器件制備工藝中離子注入工序；也用于有些羧基、硫代酸、硫代碳酸鹽和噻唑的合成。

　　18、碘化氫-HI,>99.95%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中離子注入工序；還用于氫碘酸溶液制備。

　　19、嗅化氫-HBr,>99.9%,用于半導(dǎo)體制備工藝中等離子干刻工序；用作還原劑,制備有機(jī)及無機(jī)澳化合物。

　　20、硅烷-SiH4,>99.999%,電阻率>100Ω/cm2,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中外延、化學(xué)氣相淀積等工序。

　　21、乙硅烷-Si2H6,>99.9%,用于半導(dǎo)體制備工藝中化學(xué)氣相淀積。

　　22、磷烷-PH3,>99.999%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中外延、擴(kuò)散、化學(xué)氣相淀積、離子注入等工序；磷烷與二氧化碳混合的低濃度氣體,可用于殺死糧倉的蟲卵和制備阻火化合物。

　　23、砷烷-AsH3,>99.999%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中外延、擴(kuò)散、化學(xué)氣相淀積、離子注入等工序。

　　24、硼烷-B2H6,>99.995%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中外延、擴(kuò)散、氧化等工序；用于有些化學(xué)工業(yè)合成過程:如氫硼化反應(yīng)(即生成醇類),有機(jī)功能的衰退,制備較高的硼烷衍生物和碳甲硼烷化合物。

　　25、鍺烷-GeH4,>99.999%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中外延、離子注入工序。

　　26、銻烷-SbH3,>99.999%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中外延、離子注入工序。

　　27、四氧甲硅烷-Si(OC2H5)4,>99.99%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中化學(xué)氣相淀積工序。

　　28、乙烷-C2H6,>99.99%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣、校正氣、在線儀表標(biāo)準(zhǔn)氣；用于半導(dǎo)體器件制備工藝中等離子干刻工序；還用于冶金工業(yè)的熱處理,化學(xué)工業(yè)中制備乙醇、氧化乙二醇、氯乙烯、高醇類、乙醛等。

　　29、丙烷-C3H8,>99.99%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣、校正氣、在線儀表標(biāo)準(zhǔn)氣；用于半導(dǎo)體器件制備工藝中等離子干刻工序；另外,用于燃料、冷凍劑、制備乙烯與丙烯的原料。

　　30、硒化氫-H2Se,>99.999%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中擴(kuò)散、離子注入工序。

　　31、碲化氫-H2Te,>99,999%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中擴(kuò)散、離子注入工序。

　　32、二氯二氫硅-SiH2Cl2,>99.999%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中外延、化學(xué)氣相淀積工序。

　　33、三氯氫硅-SiHCl3,>99.999%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中外延、化學(xué)氣相淀積工序。

　　34、二甲基碲-(CH3)2Te,>99.999%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中擴(kuò)散、離子注入工序。

　　35、二乙基碲-(C2H5)2Te,>99.999%,用途同(34)。

　　36、二甲基鋅(CH5)2Zn,>99.999%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中化學(xué)氣相淀積工序。

　　37、二乙基鋅(C2H5)2Zn,>99.999%,用途同(36)。

　　38、三氯化磷-PCl3,>99.99%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中擴(kuò)散,鍺的外延生長和離子注入工藝；PCl3是有機(jī)物的良好氯化劑；也用于含磷有機(jī)物的合成。

　　39、三氯化砷-AsCl3,>99.99%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中的外延和離子注入。

　　40、三氯化硼-BCl3,>99.99%,用于等離子干刻、擴(kuò)散；作硼載氣及一些有機(jī)反應(yīng)的催化劑；精煉鎂、鋅、鋁、銅合金時(shí)從溶化金屬中除掉氮、碳、氧化合物。

　　41、四氯化硅-SiCl4,>99.999%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中外延、化學(xué)氣相淀積工序。

　　42、四氯化錫-SnCl4,>99.99%,用于外延、離子注入。

　　43、四氯化鍺-GeCl4,>99.999%,用于離子注入。

　　44、四氯化欽-TiCl4,>99.99%,用于等離子干刻。

　　45、五氯化磷-PCl5,>99.99%,用于外延、離子注入。

　　46、五氯化銻-Sb=Cl5,>99.99%,用于外延、離子注入。

　　47、六氯化鑰-MoCl6,>99.9%,用于化學(xué)氣相淀積。

　　48、三嗅化硼-BBr3,>99.99%,用于半導(dǎo)體器件制備工藝中離子注入工序和制備光導(dǎo)纖維。

　　49、三嗅化磷-PBr3,>99.99%,用于外延、離子注入。

　　50、磷酞氯-POCI3,>99.999%,用于擴(kuò)散工序。